第049章 捅破一层窗户纸-《大国军工:打造最强侧卫》


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    第一次进入清大光刻机车间,赵国庆有些激动,直接直奔主题,几个关键技术。

    “何教授,你们这光刻机用的什么光源?”

    “你还真懂光刻机啊!”

    赵国庆笑了笑:“书上有介绍!”

    何振华说:“用的高压汞灯光源,436纳米的蓝光汞g线,这类高压汞灯光源目前已经达到国际先进水平!”

    好吧,国际先进水平,国际上十年前都已经开始研究波长更短的紫光激光电源了。

    赵国庆想起kmbbf晶体,前世的他发现kmbbf晶体在零下213摄氏度的时候,出现超导现象。

    就在他用x光穿透kmbbf晶体,想要检测kmbbf晶体的分子结构时,发现进入超导状态的kmbbf晶体,竟然可以反射x光。

    这可是了不得的发现。

    x光因为有强大的穿透力,目前任何透镜都不能让他转移方向,而kmbbf晶体如果能让x光反射的话,可以通过凹面镜,缩小掩膜版的图像,对光刻机光源有着颠覆的变革。

    可惜的事,发现这件事后,没多久就挂了,没有再研究下去。

    不过,现在,他有足够的时间继续这项研究。

    何振华教授继续介绍,从口气中听出的,全部是遥遥领先。

    “采用的是国际先进的非接触式透镜曝光方法,成像质量高,比起三年前h大制作的接触式曝光,可以显著提高掩膜版的使用寿命,并且透镜曝光可以以掩膜版比光刻图案5:1的比例,可以制造更复杂的芯片。”

    赵国庆点点头,他虽然对光刻机算不上内行,但怎么也能说是见多识广。

    intel、ibm的芯片制造厂他都进去过,从九十年代一直到2023年,国外光刻机一路演变,他还是清楚的。

    “436纳米的蓝光汞g线光源,加上非接触式掩膜曝光工艺,理论上可以制造一微米制程的芯片!”

    若采用多重曝光甚至可以制造500纳米制程的芯片,或者水膜浸润工艺,当然技术难度更高一些,极致可以制造250纳米芯片,这些话没办法说。

    至于用九十年代发明的kbbf晶体升级极紫外光,还有双工台提升商用制造效率,现在还是没影的事。

    能不能现在开始布局?

    没说的,肯定要干啊!

    赵国庆的问题,何振华教授没有回答,而赵国庆也发现了一些问题。
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